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东芝上市安装在双面散热封装中的低耐压功率MOSFET

2020-05-22 03:33:47来源:励志吧0次阅读

东芝上市了安装在双面散热封装中的低耐压功率MOSFET。具体安装在了该公司自主开发的表面安装型封装“DSOP Advance”中,DSOP Advance配备了通过上下两面散热的金属电极。据介绍,由于散热性提高,因此可增加处理的电流量。安装面积为5mm×6mm,与采用该公司现有封装“SOP Advance”的产品端子兼容。无需改变印刷基板的布局,即可更换为DSOP Advance封装品。新产品主要用于服务器和通信设备等配备的开关电源及DC-DC转换器等。

东芝此次准备了耐压各异的4款产品。分别是+ 0V耐压的“TPWR850 NL”、+40V耐压的“TPWR8004PL”、+80V耐压的“TPW4R008NH”和+100V耐压的“TPW4R50ANH”。4款产品均采用n沟道。例如,+ 0V耐压品的特性如下。最大漏电流在连续时为150A,脉冲时为500A。导通电阻在栅-源间电压为+4.5V时为1. mΩ(最大值),+10V时为0.85mΩ(最大值)。栅极电荷为74nC(标称值)。输入电容为5 00pF(标称值)。输出电容为2700pF(标称值)。反馈电容为1 0pF(标称值)。栅极电阻为1.2Ω(标称值)。最大沟道温度为+150℃。

此外,+40V耐压品的导通电阻在栅-源间电压为+4.5V时为1. 5mΩ(最大值),+10V时为0.8mΩ(最大值)。+80V耐压品的导通电阻在栅-源间电压为+10V时为4.0mΩ(最大值)。+100V耐压品的导通电阻在栅-源间电压为+10V时为4.5mΩ(最大值)。

上述4款产品均已开始量产。价格未公布。(特约撰稿人:山下 胜己)怀化哪家医院治疗白癜风
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